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J-GLOBAL ID：200903093344143351

プラズマイオン金属被着装置

Inventor： 赤堀 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社真空デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115327
Publication number (International publication number)：2000266653
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】試料表面にイオンスパッタによる金属被着,及びプラズマイオン成膜による金属オスミウム被着を行う装置に於てイオン衝撃による試料損傷が無く,プラズマ放電電圧の極性の変換や試料の位置移動を行うことなく,同一装置内で単一操作により金属被着を行える装置の提供【解決手段】負電極(2)をホローカソード形としカソード内面をスパッタ容易な金属で作り,対向したアノード電極(6)との間に直流電圧を印加することにより従来の平面電極形ダイオード放電に比べて2分の1以下の電圧でプラズマ放電を持続させ,発生したプラズマイオンでカソード内面のターゲット金属(3)をスパッタさせ,あるいは雰囲気ガスの4酸化オスミウムガスをイオン化させることにより試料(S)表面にスパッタ金属粒子と金属オスミウムの膜を単一操作で被着させるプラズマイオン金属被着装置を提供する

Claim (excerpt)：

希薄気体状態に維持される真空槽(1)内に負電極が円筒型であるホローカソード(2)とホローカソード(2)に対向してアノード電極(6)を設けたダイオード放電プラズマイオン金属被着装置に於て,ホローカソード(2)の円筒内壁をスパッタ率良好なターゲット金属(3)で形成し,円筒底部に電気的に絶縁して試料台(5)を設置してなるプラズマイオン金属被着装置

IPC (3)：

G01N 1/28 ,  C23C 14/14 ,  H05H 1/24

FI (4)：

G01N 1/28 N ,  C23C 14/14 D ,  H05H 1/24 ,  G01N 1/28 F

F-Term (7)：

4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公平8-014021
  
• 特開平4-191369
  
• 特許第2697753号
  
• 特許第2748213号