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J-GLOBAL ID：200903093345734809

高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材

Inventor： 高階 啓幸
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994219531
Publication number (International publication number)：1996060349
Application date： Aug. 22, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【構成】 スパッタリングターゲット材が、In,Sn,Zn、およびNbの4成分複合酸化物からなり、かつ前記4成分複合酸化物の構成成分を、In2 O3,SnO2 ,ZnO、およびNb2 O5 で表わした場合、重量%で、SnO2 :5〜20%、ZnO:0.3〜7%、Nb2 O5 :0.3〜7%、ただしZnO+Nb2 O5 :1〜10%を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成を有する。

Claim (excerpt)：

In,Sn,Zn、およびNbの4成分複合酸化物からなり、前記4成分複合酸化物の構成成分を、In2 O3 ,SnO2 ,ZnO、およびNb2 O5 で表わした場合、重量%で、SnO2 :5〜20%、 ZnO:0.3〜7%、Nb2 O5 :0.3〜7%、(ただし、ZnO+Nb2 O5 :1〜10%)、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/203

FI (2)：

C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 J