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J-GLOBAL ID：200903093365807365

半導体回路及びパワートランジスタ保護回路

Inventor： 五十嵐 尚
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997269846
Publication number (International publication number)：1999112313
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 パワートランジスタの過電流状態の検出をより早いタイミングで行うことにより、過電流時のターンオフサージ電圧の発生を抑える。【解決手段】 IGBT1に流れる主電流を監視し、IGBT1の動作が過電流状態になり、且つ、IGBT1の制御端子Gに印加される制御電圧がそのしきい値電圧以上である時に、判定回路10は、IGBT1が過電流状態にあるものと判定し、IGBT1をオフ状態にすると共に、その判定結果を出力信号としてエラー出力端子9より外部のマイクロコンピュータへ出力する。この出力信号を受けて、当該マイクロコンピュータは、直ちにIGBT1及び他のIGBTの駆動信号をオフ信号レベルに固定してこれらのIGBTを遮断し、IGBT1の主電流がより大きな値の過電流になってしまうことからIGBT1を保護する。

Claim (excerpt)：

負荷に接続された第1主電極と、第2主電極と、制御電極とを備え、前記制御電極に印加される制御電圧がしきい値電圧以上のときに前記第1主電極と前記第2主電極との間に主電流を流すパワートランジスタと、交互に周期的に変動するオン信号レベルとオフ信号レベルとを有する入力信号を受信して伝達する入力信号線と、前記入力信号線に接続された入力端と前記パワートランジスタの前記制御電極に接続された出力端とを備え、前記入力信号のレベルが前記オン信号レベルのときには前記入力信号の入力時からオン遅延時間だけ遅延した後に前記しきい値電圧以上の前記制御電圧を前記出力端より出力し、前記入力信号の前記レベルが前記オフ信号レベルのときには前記入力信号の入力時からオフ遅延時間だけ遅延した後に前記しきい値電圧未満の前記制御電圧を前記出力端より出力する、駆動回路と、前記パワートランジスタの前記主電流と前記制御電圧とをその入力信号として受信して、前記制御電圧が前記しきい値電圧以上であり、且つ前記主電流が所定のしきい値電流以上にあることを検出したときに前記パワートランジスタが過電流状態にあると判定する判定回路とを備える、半導体回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電力用半導体駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336209   Applicant：東洋電機製造株式会社