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J-GLOBAL ID：200903093371178442

基板電位クランプ回路

Inventor： 佐々木 壮一 ,  井上 好永
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290771
Publication number (International publication number)：1993102406
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路に内蔵される基板電位クランプ回路において、そのアクセスの高速化及び耐圧の向上を目的とする。【構成】 MOSトランジスタ1,2を直列接続してMOSダイオードとしトランジスタ1,2のウエルを電源電圧に接続して構成したクランプ回路31と、MOSトランジスタ3,4を直列接続してMOSダイオードとしトランジスタ3,4のウエルを接地して構成したクランプ回路32の2つをグランドとVBBジェネレータ20の出力ライン21間に設け、回路31,32を同時に使用する。

Claim (excerpt)：

基板電位発生回路の出力端と接地ノードとの間に接続されるMOSトランジスタ構成のクランプ素子を有し、上記クランプ素子を有するMOSトランジスタの基板電位が電源電位とされる第1のクランプ回路と、上記基板電位発生回路の出力端と上記接地ノードとの間に接続されるMOSトランジスタ構成のクランプ素子を有し、上記クランプ素子を構成するMOSトランジスタの基板電位が接地電位にされる第2のクランプ回路とを備えたことを特徴とする基板電位クランプ回路。

IPC (4)：

H01L 27/088 ,  G05F 3/24 ,  H01L 27/04 ,  H03K 19/094

FI (2)：

H01L 27/08 102 J ,  H03K 19/094 D