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J-GLOBAL ID：200903093375016196
薄膜EL素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三澤 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179461
Publication number (International publication number)：1993029079
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 輝度が高くて十分な発光効率が得られる薄膜EL素子及びその製造方法を提供するようにする。【構成】 フッ素を添加したアモルファス水素化炭化珪素(α-SiC:H,F)薄膜17を発光層として用いる。この薄膜17は、水素化珪素とフッ化炭素の混合ガス、またはフッ化珪素と炭化水素の混合ガスを主たる原料として用い、グロー放電分解法によって形成する。
Claim (excerpt)：
フッ素が添加されたアモルファス水素化炭化珪素薄膜を発光層として用い、前記薄膜中のフッ素の濃度X(atm%)を、5乃至50の範囲に設定したことを特徴とする薄膜EL素子。
IPC (4)：
H05B 33/14
, C09K 11/00
, C09K 11/65
, H05B 33/10
