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J-GLOBAL ID:200903093400546162
液晶表示装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡田 敬
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995177615
Publication number (International publication number):1997026600
Application date: Jul. 13, 1995
Publication date: Jan. 28, 1997
Summary:
【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた駆動回路一体型液晶表示装置において、ゲート配線抵抗を上げることなく、ゲート電極の応力を低減してリーク電流を抑制する。【構成】 ゲートライン(13L)をポリシリコン(13p)とシリサイド(13s)の積層体により形成し、ゲート電極(13G)をポリシリコン(13p)の単層とする。ポリサイドゲートの配線抵抗を上げることなく、ゲート電極(13G)部の応力が低減され、チャンネル領域に生じる格子欠陥が減少しトラップによるリーク電流が抑えられる。
Claim (excerpt):
基板上に島状に形成され不純物を含有しないチャンネル領域と該チャンネル領域の両側に不純物を含有したソース及びドレイン領域とを含む多結晶半導体島層と、該多結晶半導体島層を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ソース領域に接続するソース電極と、前記ドレイン領域に接続するドレイン電極とからなる薄膜トランジスタが複数設けられた液晶表示装置において、前記ゲート電極に電圧を印加するゲートラインは、多結晶シリコン層及びシリコンと金属の化合物合金層との積層構造により形成され、前記ゲート電極は、前記ゲートラインと一体の多結晶シリコン層により形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
FI (4):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 617 L
Patent cited by the Patent:
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