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J-GLOBAL ID：200903093404155176

シリルエチニル基類を有するアセン-チオフェンの共重合体類を含む電子機器

Inventor： チュー,ペイワン ,  ボーゲル,デニス イー. ,  リー,ツー-チェン ,  ガーラック,クリストファー ピー.
Applicant, Patent owner： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009506695
Publication number (International publication number)：2009534853
Application date： Apr. 13, 2007
Publication date： Sep. 24, 2009
Summary：

アセン-チオフェン共重合体を含む電子機器、及びこのような電子機器の作製方法を記載する。より具体的には、該アセン-チオフェン共重合体は、結合したシリルエチニル基類を有する。該共重合体は、半導体層、又は第1の電極と第2の電極との間に配置される層に使用することができる。

Claim (excerpt)：

式Iのアセン-チオフェンの共重合体を備える電子機器であって、

IPC (8)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/50 ,  C08G 61/12 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/42

FI (10)：

H01L29/28 250G ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 D ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 680 ,  C09K11/06 690 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/04 D

F-Term (44)：

3K107AA01 ,  3K107CC21 ,  3K107DD61 ,  3K107DD71 ,  3K107DD79 ,  4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BB06 ,  4J032BC03 ,  4J032CA12 ,  4J032CB04 ,  4J032CD02 ,  4J032CE03 ,  4J032CG01 ,  5F051AA11 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機半導体層およびその改善
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-540612   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Organic Field-Effect Transistors from Solution-Deposited Functionalized Acenes with Mobilities as Hi