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J-GLOBAL ID：200903093406622995

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 青山 知憲 ,  有門 経敏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233930
Publication number (International publication number)：1996097369
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は信頼性の高いキャパシタの構造及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に形成されたNb等の周期律表5A族の元素を含む金属酸化物からなる第1の電極(Nb添加SrTiO3 膜)12と、この第1の電極12上に形成されたキャパシタ絶縁膜(BaX Sr1-X TiO3 膜)16と、このキャパシタ絶縁膜16上に形成された第2の電極(Nb添加SrTiO3 膜)19とを備えたキャパシタと、前記第1の電極12と前記半導体基板1との間に形成された拡散防止層(Ti膜8、MoNx 膜9)とを備えたことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された周期律表5A族の元素を含む金属酸化物からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に形成された第2の電極とを備えたキャパシタと、前記第1の電極と前記半導体基板との間に形成された拡散防止層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651