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J-GLOBAL ID：200903093414869533
青色発光デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289495
Publication number (International publication number)：1994120562
Application date： Oct. 01, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体チップの結晶性を傷めることなく、量産性に優れた構造とし、さらに窒化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光デバイスを高輝度化、および低駆動電圧化する。【構成】 p型窒化ガリウム系化合物半導体33の一部がエッチングされて、電極34,35が形成されるべきn型窒化ガリウム系化合物半導体2が露出されており、さらにサファイア基板1を上面にして、n型窒化ガリウム系化合物半導体、およびp型窒化ガリウム系化合物半導体に設けられた電極と、リードフレーム7とが導電性接着剤36を介して接続されている。
Claim (excerpt)：
サファイア基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体とp型窒化ガリウム系化合物半導体とが積層され、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体およびp型窒化ガリウム系化合物半導体から、電極が取り出されてリードフレームと接続された構造を有する青色発光デバイスであって、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体の一部がエッチングされて、電極が形成されるべきn型窒化ガリウム系化合物半導体が露出されており、さらにサファイア基板を上面にして、n型窒化ガリウム系化合物半導体およびp型窒化ガリウム系化合物半導体に設けられた電極と、リードフレームとが導電性接着剤を介して接続されていることを特徴とする青色発光デバイス。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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