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J-GLOBAL ID：200903093425526000

フオトマスク防塵用フイルムカバー

Inventor： 滝口 照夫 ,  金子 靖
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 清水 猛 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184072
Publication number (International publication number)：1993011437
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光線透過率が高く、製造時の歩留まりが良く、また、長期の使用において光線透過率の安定したマスク防塵用フィルムカバーを提供すること。【構成】 セルロース誘導体からなる透明薄膜体に、高屈折率成分層の上に低屈折率成分層を積層した2層の反射防止層を形成し、高屈折率成分としビニルナフタレン誘導体とスチレン誘導体との組成範囲:55/45〜5/95(モル比)のコポリマーを用い、低屈折率成分として環状構造を持つフッ素ポリマーを用いる、LSI製造工程中で使用されるフォトマスク防塵用の改良されたフィルムカバー。【効果】 光線透過率が高く、製造時の歩留まりが良く、また、長期の使用において光線透過率を示す。

Claim (excerpt)：

透明薄膜の少なくとも一方の面に、高屈折率成分層の上に、低屈折率成分層を積層した2層の反射防止層が形成されたマスク用防塵カバーにおいて、高屈折率成分として下記一般式〔I〕で示されるビニルナフタレン誘導体と、【化1】(式中、R1 は-CH=CH2 または【化2】である。)下記一般式〔II〕で示されるスチレン誘導体との、【化3】(式中、R2 は-CH=CH2 、【化4】またはR3 はH、F、炭素数1〜10のアルキル基である。)組成範囲:55/45〜5/95(モル比)の共重合体を用いることを特徴とする、フォトマスク用防塵カバー。

IPC (3)：

G03F 1/14 ,  C08F212/32 MJY ,  H01L 21/30