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J-GLOBAL ID：200903093429565840
透明導電性薄膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044442
Publication number (International publication number)：1999229120
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 蒸着の際に、基板を加熱する必要がなく、これまで変形、軟化などのトラブルを伴うために使用することができなかったプラスチックのような基板に対しても適用しうる、新規な蒸着法による透明導電性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着させて透明導電性薄膜を形成させる。
Claim (excerpt)：
非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着させることを特徴とする透明導電性薄膜の形成方法。
IPC (4)：
C23C 14/08
, C23C 14/22
, H01B 13/00 503
, H01S 3/00
C23C 14/08 D
, C23C 14/22 F
, H01B 13/00 503 B
, H01S 3/00
