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J-GLOBAL ID：200903093437308440

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 福永 秀樹 ,  中山 秀生
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267076
Publication number (International publication number)：1993121822
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 リッジ導波路型半導体レーザの漏れ電流の防止【構成】 (100)面GaAs基板1上に第一導電型クラッド層2及び光導波層3により挟まれた活性層4を順次成長させ、次いで前記GaAs基板1の結晶方位に対して[011]方向に伸びたストライプ状の窓を形成したマスク層を設けて第二導電型クラッド層5、第二導電型キャップ層6を成長させる【効果】 クラッド層5の厚みを高精度で制御できる。

Claim (excerpt)：

(100)面GaAs基板上に第一導電型クラッド層及び光導波層により挟まれた活性層を順次成長させ、次いで前記GaAs基板の結晶方位に対して[011]方向に伸びたストライプ状の窓を形成したマスク層を設けて第二導電型クラッド層、第二導電型キャップ層を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。