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J-GLOBAL ID：200903093449217504

湿式プロセスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測定方法

Inventor： 庄野 友陵 ,  中岡 康幸 ,  小林 実
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130576
Publication number (International publication number)：1993322880
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 インプロセスで正確なめっき膜厚測定とエッチング溝深さ測定を可能にすることを目的としている。【構成】 水溶液7中で定電流下または定電位下に保持されためっき部材2またはエッチング部材にレーザビーム1を照射し、レーザビーム照射時における電位変化または電流変化を検出することにより上記めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚またはエッチング溝深さを測定する。

Claim (excerpt)：

水溶液中で定電流下または定電位下に保持されためっき部材またはエッチング部材にレーザービームを照射し、レーザービーム照射時における電位変化または電流変化を検出することにより上記めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚またはエッチング溝深さを測定する湿式プロセスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測定方法。

IPC (7)：

G01N 33/20 ,  C23C 18/31 ,  C23F 1/00 ,  C25D 21/12 ,  C25F 7/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/06