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J-GLOBAL ID：200903093462532850

磁気メモリ素子

Inventor： 山野 耕治 ,  前田 篤志 ,  高橋 誠一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998255308
Publication number (International publication number)：2000090658
Application date： Sep. 09, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 メモリ素子への情報の書き込みを効率的に行うことができ、かつ書き込みの際の隣接セルへの影響を低減することができ、高集積化を図ることができる磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気メモリアレイを得る。【解決手段】 基板と、該基板の上方に設けられる磁気抵抗効果膜4とを備え、磁気抵抗効果膜4が、非磁性層2によって分離された第1の磁性層1及び第2の磁性層3を含み、第1の磁性層1に磁界を印加して第1の磁性層1の磁化方向を設定することにより情報を書き込み記録する磁気メモリ素子において、印加磁界の磁束を第1の磁性層1に集中させるための強磁性体からなる磁束制御層6が設けれていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上方に設けられる磁気抵抗効果膜とを備え、前記磁気抵抗効果膜が、非磁性層によって分離された第1及び第2の磁性層を含み、前記第1の磁性層に磁界を印加して前記第1の磁性層の磁化方向を設定することにより情報を書き込み記録する磁気メモリ素子であって、前記印加磁界の磁束を前記第1の磁性層に集中させるための強磁性体からなる磁束制御層が設けられている磁気メモリ素子。