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J-GLOBAL ID：200903093475010292

GaN系半導体受光素子

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  湖東 雅弘 ,  大内 洋一郎 ,  平松 和政 ,  濱村 寛 ,  清水 澄人
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998346233
Publication number (International publication number)：2000174323
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 受光対象光の短波長化に対応し、素子の寿命特性や受光感度を劣化させない好ましい電極構造を有する受光素子を提供すること。【解決手段】 光励起によって光電流に係るキャリアを発生するGaN系結晶層を光検出層1として、受光対象光Lが入射する側には、GaN系結晶からなりオーミック電極を形成し得るコンタクト層3を介して、入射側電極P1をオーミック電極として設ける。入射側電極の形成パターンは、コンタクト層上面(C-C)を部分的に覆うパターン(例えば、くし型)である。ここで、コンタクト層の上面のうち、入射側電極P1に覆われていない部分に凹部4を設け、受光対象光Lを光検出層1に好ましく到達させる構造とする。

Claim (excerpt)：

光励起によって光電流に係るキャリアを発生する光検出層と、両極側の電極とが、光起電力効果または光導電効果によって受光対象光を検出し得るように組み合わされた構造を少なくとも有し、光検出層の、受光対象光が入射する側には、電極を形成するためのGaN系結晶からなるコンタクト層を介して、少なくとも一方の電極が設けられ、前記一方の電極を入射側電極と呼ぶとして該入射側電極の形成パターンはコンタクト層を部分的に覆うパターンであり、コンタクト層の入射側電極形成面のうち、入射側電極に覆われていない部分には凹部が設けられていることを特徴とするGaN系半導体受光素子。

F-Term (17)：

5F049MA02 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA05 ,  5F049NA10 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049PA08 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05