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J-GLOBAL ID：200903093502710854

プラズマエッチング方法及び装置

Inventor： 飯島 幸夫 ,  岡野 晴雄 ,  石川 吉夫
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995283534
Publication number (International publication number)：1997134906
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 CH<SB>2 </SB>F<SB>2 </SB>等のハイドロフロロカーボンガスを含む反応性ガスを用いて、SiO<SB>2 </SB>膜とSiN膜から成る積層構造に対してSiO<SB>2 </SB>膜のみを選択的にエッチングするプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】 プラズマエッチング方法において、反応性ガスとしてハイドロフロロカーボンガスを含むガスを用い、且つ、ハイドロフロロカーボンガスの流量F<SB>1 </SB>(cm<SP>3 </SP>・atm/min)、ノズル40の総断面積S(cm<SP>2 </SP>)、反応容器(30)内におけるハイドロフロロカーボンガスの分圧p<SB>1 </SB>(Torr)、被処理基体(S)とノズル40との間の距離L(cm)、及び、反応性ガスの全圧P(Torr)の間に、F<SB>1 </SB>/(P・p<SB>1 </SB>・S・L)<X(Xはハイドロフロロカーボンガスの種類により定まる定数)なる関係が成り立つようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

反応容器内に設置されたサセプタに被処理基体を配置し、前記反応容器内を所定圧力に減圧し、前記被処理基体に対向する位置に設けられた少なくとも1つのノズルを介して反応性ガスを前記反応容器内に供給すると共に、前記反応容器内に放電プラズマを形成して、前記被処理基体をエッチングするプラズマエッチング方法において、前記反応性ガスとしてハイドロフロロカーボンガスを含むガスを用い、且つ、前記ハイドロフロロカーボンガスの流量F<SB>1 </SB>(cm<SP>3 </SP>・atm/min)、前記ノズルの総断面積S(cm<SP>2 </SP>)、前記反応容器内における前記ハイドロフロロカーボンガスの分圧p<SB>1 </SB>(Torr)、前記被処理基体と前記ノズルとの間の距離L(cm)、及び、前記反応性ガスの全圧P(Torr)の間に、F<SB>1 </SB>/(P・p<SB>1 </SB>・S・L)<X(Xはハイドロフロロカーボンガスの種類により定まる定数)なる関係が成り立つようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 B