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J-GLOBAL ID：200903093507189621
フォトマスクおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149755
Publication number (International publication number)：1993341501
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低反射膜を有するフォトマスクに関し,化学的に安定な低反射膜を提供し,遮光膜のエッチングを安定化し,さらにレジストの薄膜化,安定化を可能にしてデバイスの微細化に寄与することを目的とする。【構成】 1)透明基板3と,該透明基板の上に順に被着された遮光膜32と表面低反射層33とを有し,該表面低反射層がCr203 を主成分とする酸化クロム膜であるように構成する。2)透明基板3の上に遮光膜32を被着する工程と, 該遮光膜の上にCr203 の組成を有する酸化クロムをターゲットに用いたスパッタリングにより表面低反射層33を被着する工程と,該表面低反射層33および遮光膜32に所望のパターンを形成する工程とを有するように構成する。
Claim (excerpt)：
透明基板(3)と,該透明基板の上に順に被着された遮光膜(32)と該遮光膜より反射率の低い表面低反射層(33)とを有し,該表面低反射層がCr203 を主成分とする酸化クロム膜であることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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