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J-GLOBAL ID：200903093516787701

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法

Inventor： 池田 成明 ,  横関 弥樹博 ,  大久保 典雄
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019381
Publication number (International publication number)：2000223497
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高い電流増幅率及び電流遮断周波数を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 HBT20は、(100)面を主面とする半絶縁性Ga As 基板1上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、n+-GaAsサブコレクタ層2、n- -GaAsコレクタ層3、傾斜型GaAs1-X NX ベース層4、及びn-InGaPエミッタ層5からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。ベース層は、カーボンをp型不純物として3.0×1019/cm3 で含むGaAs1-X NX 層であって、Nの濃度Xをコレクタに接した面では、GaAsよりもバンドギャップの小さな半導体層にするために例えばX=0.004程度とし、徐々にエミッタ側に向かって減少させていき、即ち半導体層のバンドギャップを大きくしていき、エミッタ層に接した面では、X=0としGaAsになる組成傾斜型の層として構成されている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、少なくともコレクタ層と、ベース層と、バンドギャップがベース層より大きな化合物半導体からなるエミッタ層とを順に備えた、メサ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層が、窒素(N)を含み、かつベース層中のNの濃度がコレクタ側からエミッタ側に向けて徐々に低くなる組成傾斜型ベース層として構成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

F-Term (17)：

5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE02 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BG03 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH16 ,  5F003BM03 ,  5F003BN06 ,  5F003BP08 ,  5F003BP11 ,  5F003BP32 ,  5F003BP93 ,  5F003BS08