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J-GLOBAL ID:200903093520116994

超電導磁気シールド体及び超電導磁気シールド方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩原 康弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992304385
Publication number (International publication number):1994132695
Application date: Oct. 19, 1992
Publication date: May. 13, 1994
Summary:
【要約】【目的】 超電導体の臨界電流密度から期待される以上の磁気シールド特性を有する超電導磁気シールド体と、それを用いた磁気シールド方法を提供する。【構成】 第2種超電導体と非超電導体とが周期的に積層された層状構造の超電導磁気シールド体であって、磁場をシールドしたときの遮蔽電流の電流密度は前記第2種超電導体自体の臨界電流密度(Jc)を越えるものであることを特徴とする。これを用いて量子磁束線が移動する方向に対し平行でない方向に超電導体と非超電導体との界面を配置してシールドを行なう。
Claim (excerpt):
第2種超電導体と非超電導体とが周期的に積層された層状構造の超電導磁気シールド体であって、磁場をシールドしたときの遮蔽電流の電流密度は前記第2種超電導体自体の臨界電流密度(Jc)を越えるものであることを特徴とする超電導磁気シールド体。
IPC (5):
H05K 9/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/02 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-183979
  • 特開平1-134998
  • 特開昭63-233577
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