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J-GLOBAL ID：200903093524152413

シャロートレンチアイソレーション構造内に結晶質窒化珪素被膜の薄膜を形成する方法、サブミクロンの集積回路デバイス用のシャロートレンチアイソレーション構造及び結晶質窒化珪素被膜

Inventor： ハーバート ホー ,  エルヴィン ハマール ,  デイヴィッド エム ドブツィンスキー ,  ヘルベルト ヨット パルム ,  スティーヴン フガルディ ,  アトゥル アジメラ ,  ジェイムズ エフ モーズマン ,  サミュエル シー ラマク
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998022531
Publication number (International publication number)：1998214889
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 集積回路デバイスにおけるシャロートレンチアイソレーション(STI)構造内に結晶質窒化珪素(Si3N4)被膜の薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 低圧化学蒸気析出法(LPCVVD)によって5〜10nm厚さのSi3N4被膜をSTI構造内に720〜780°Cの温度で析出させ、かつSi3N4被膜の析出直後に、高温の高速熱アニールを1050〜1100°Cで60秒間実施してSi3N4被膜をアモルファス状態から結晶質状態に変換する。【効果】 得られた結晶質Si3N4は、析出したままのアモルファスSi3N4よりも低い電子トラップ密度を有する。厚さの制御範囲が大きくなる。

Claim (excerpt)：

集積回路デバイスにおけるシャロートレンチアイソレーション(STI)構造内に結晶質窒化珪素(Si3N4)被膜の薄膜を形成する方法において、低圧化学蒸着法(LPCVD)によって5〜10nmの厚さのSi3N4被膜をSTI構造内に720〜780°Cの温度で析出させ、かつSi3N4被膜の析出直後に、高速熱アニールを1050〜1150°Cでほぼ60秒間実施してSi3N4被膜をアモルファス状態から結晶質状態に変換させることを特徴とする、シャロートレンチアイソレーション構造内に結晶質窒化珪素被膜の薄膜を形成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-155939   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭62-096349
  
• 特開昭62-096349