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J-GLOBAL ID：200903093527410278

薄膜配線およびその製造方法

Inventor： 三塚 勉 ,  上條 敦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057549
Publication number (International publication number)：1993226337
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 SAWフィルターのような超薄膜領域における配線の比抵抗を下げ、かつLSIのような5000Å以上の膜厚を有する配線にあっては、マイグレーション耐性の高いAl配線およびその製造方法を提供する。【構成】 基板1上にアモルファス状あるいは微細粒組織のAlないしAl合金2を堆積させてこれを下地層2とし、その上にAlないしAl合金薄膜3を堆積させて二層膜を作製する。【効果】 基板上に直接AlあるいはAl合金を堆積した場合よりもAlないしAl合金配線の配向性が著しく高まり、比抵抗が低くマイグレーション耐性の高いAlあるいはAl合金薄膜配線を得る。

Claim (excerpt)：

下地層と薄膜とを有する薄膜配線であって、下地層は、アモルファス状あるいは微細粒組織のアルミニウム(Al)ないしAl合金薄膜であり、薄膜は、該下地層上に形成された(111)配向のAlないしAl合金薄膜であることを特徴とする薄膜配線。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/145

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-183538
  
• 特開昭63-226703
  
• 特開平2-306304
  
• 特開平4-033018