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J-GLOBAL ID：200903093528431422

熱電気の活性材料およびこれを含んだ熱変換器

Inventor： ハンス-ヨーゼフ、シュテルツェル
Applicant, Patent owner： ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 江藤 聡明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000350498
Publication number (International publication number)：2001223392
Application date： Nov. 17, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高いZ値をもち、温度安定性のすぐれた熱電気的材料を提供する。【解決手段】p-ドープまたはn-ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組:ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の1組から選択され、物質の組の少なくとも2種の化合物を結合することで形成される、少なくとも1種の三元材料であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p-ドープまたはn-ドープされた半導体材料を含む熱変換器であって、前記半導体材料が、以下の物質の組の1組から選択され、および物質の組の少なくとも2種の化合物を結合することによって形成される、少なくとも1種の三元材料であることを特徴とする熱変換器:(1)ケイ化合物U3Si5、BaSi2、CeSi2、GdSi、NdSi2、CoSi、CoSi2、CrSi2、FeSi2、MnSi、MoSi2、WSi2、VSi、TiSi2、ZrSi2、VSi2、NbSi2およびTaSi2(2)ホウ素化合物UB2、UB4、UB12、CeB6、AlB12、CoB、CrB2、CrB4、FeB、MnB、MnB2、MnB12、MoB、MoB4、SiB4、SiB6、SiB12、TiB2、VB2、YB4、ZrB2、CuB24、NiB12、BaB6、MgB2、MgB4およびMgB12、但し、アルミニウム含有ホウ素化合物がホウ素原子に対し1個の炭素原子を追加で含んでいてもよい。(3)ゲルマニウム化物U5Ge3、BaGe、GdGe、Dy5Ge3、Fr5Ge3およびCe3Ge5(4)テルル化物、硫黄化物、セレン化物LaS、NdS、Pr2S3、DyS、USe、BaSe、GdSe、LaSe、Nd3Se4、Nd2Se3、PrSe、FrSe、UTe、GdTe、LaTe、NdTe、PrTe、SmTe、DyTeおよびErTe(5)アンチモン化物USb、CeSb、GdSb、LaSb、NdSb、PrSbおよびDySb、AlSb、CeSb、CrSb、FeSb、Mg3Sb2、NI5Sb2およびCeSb3およびNiSb3(6)鉛化物CePb、Gd5Pb3、La5Pb3およびDy5Pb4(但し(1)から(6)までの物質の組において、下記の原子がまだ組み合わせの中に存在していない場合において、元素の10原子%までがNa、K、Rb、Cs、Zn、Cd、Al、Ga、Zr、Mg、S、Cu、Ag、Au、Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、またはこれらの混合物によって置換されていてもよい。)(7)半導体酸化物UO2、Bi2O3、CuO、Cu2O、SnO、PbO、ZnO,In2O3、WO3、V2O5、Sb2O3、CoO、NiO、Ce2O4、FeO、Fe2O3、NbO2、CeO2およびBaO(但し、酸化物の10モル%までは、Na2O、K2O、CdO、SrO、Al2O3、Ga2O3、Cr2O3またはこれらの混合物に置換されていてもよい。)

IPC (6)：

H01L 35/16 ,  C04B 35/495 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34

FI (6)：

H01L 35/16 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  C04B 35/00 J