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J-GLOBAL ID：200903093542826545

半導体発光装置

Inventor： 高橋 孝志
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998123990
Publication number (International publication number)：1999307880
Application date： Apr. 17, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光効率を向上させることの可能なAlGaInNP系の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、n型GaAsバッファ層102,n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層103,ノンドープ(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P下部光導波層104,ノンドープGa0.5In0.5P中間層105a,ノンドープGa0.6In0.4N0.01P0.99発光層106,ノンドープGa0.5In0.5P中間層105b,ノンドープ(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P上部光導波層107,p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層108,p型Ga0.5In0.5Pスパイク防止層109,p型GaAsコンタクト層110が順に積層されている。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、GaxIn1-xNyP1-y混晶半導体からなる発光層と、(AlzGa1-z)wIn1-wPクラッド層または光導波層または障壁層と、発光層とクラッド層または光導波層または障壁層との間に積層された、AlとNを含まないIII-V族半導体からなる中間層とを有する半導体発光装置であって、前記中間層は、GaAs基板と格子整合し、前記発光層はGaAs基板に対して圧縮歪を有していることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B