Pat

J-GLOBAL ID：200903093553170005

オゾン製造方法

Inventor： 澤本 勲 ,  島宗 孝之 ,  錦 善則
Applicant, Patent owner： ペルメレック電極株式会社
Agent (1)： 森 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991171768
Publication number (International publication number)：1993295579
Application date： Jun. 17, 1991
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フッ素樹脂イオン交換膜を固体電解質として使用して水電解によりオゾン含有ガスを製造する際に、生成するオゾン含有ガス中に混入するフッ素成分を除去して、特に半導体製造やバイオテクノロジー等に使用される不純物を高度に除去した高純度オゾン含有ガスを簡便な方法で製造する。【構成】 前記固体電解質11を使用して電解的に製造したオゾン含有ガスを冷却するという簡便な手法でフッ素成分を該オゾン含有ガスから除去できる。前記オゾン含有ガス中に含有されるフッ素成分は主としてフッ化水素であると推測され、該フッ化水素を含むオゾン含有ガスを冷却することによりフッ化水素のみを液化してオゾン含有ガスから除去することができる。

Claim (excerpt)：

フッ素樹脂系イオン交換膜を固体電解質として水の電気分解によりオゾン含有ガスを製造する方法において、発生ガスを冷却器を通して冷却し該ガス中のフッ素成分を除去することを特徴とするオゾン製造方法。

IPC (3)：

C25B 15/08 302 ,  C01B 13/10 ,  C25B 1/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-287289
  
• 特開平1-312092
  
• 特開昭63-210288