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J-GLOBAL ID：200903093555010153

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168021
Publication number (International publication number)：1999004000
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い生産性と特性を有するTFTを提供する。【解決手段】 ニッケルを利用して結晶化させた活性層を用いてTFTを作製する場合に、ゲイト電極106としてタンタルを用いる。この場合、ソース/ドレイン領域108、110への燐のドーピングを行い、その後に加熱処理を行うことにより、活性層中におけるニッケル元素のソース/ドレイン領域のゲッタリングを行わすことができる。また同時にソース/ドレイン領域のアニールを行うことができる。またゲイト電極としてタンタルを利用することでこの加熱処理に耐えるものとすることができる。
Claim (excerpt)：
耐熱性材料でなるゲイト電極と、珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に含有された珪素膜でなる活性層と、を有し、活性層中のソース及びドレイン領域には前記金属元素が他の領域に比較して高い濃度で存在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 618 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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