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J-GLOBAL ID：200903093575547684

LB膜への配線形成方法

Inventor： 宮本 裕生 ,  小谷野 武 ,  斎藤 稔 ,  海部 勝晶 ,  加藤 雅一
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294005
Publication number (International publication number)：1993135631
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 LB膜デバイスの構築のため、LB膜上に常温あるいは常温常圧で膜の機能を低下させること無く金属配線パターンを形成する。【構成】 有機薄膜としてのLB膜表面上にアミノ基またはカルボキシル基を含む分子を付与する。膜表面のアミノ基またはカルボキシル基と結合させたビオチン分子と金コロイドを付与したアビジン分子(金コロイドアビジン分子)とをアビジンービオチンの特異的結合を利用して結合させ、金コロイド粒子による配線パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

LB膜に配線を形成するに当たり、LB膜表面にビオチンの標識となる官能基を付与し、前記LB膜表面に前記官能基を介し結合するビオチンパターンを形成し、該ビオチンパターンに金属コロイドを有するアビジンをアビジンとビオチンとの特異的結合を用いて結合させ配線を得ることを特徴とするLB膜への配線形成方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  B05D 1/20 ,  H01B 1/20 ,  H01L 21/3205