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J-GLOBAL ID：200903093576742383

固体電解質の成膜方法

Inventor： 兼田 波子 ,  望月 正孝 ,  永田 雅克 ,  岩澤 力
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997326421
Publication number (International publication number)：1999162484
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MOCVDを1000°C以上で行うことによって緻密な固体電解質膜を成膜する。【解決手段】 この発明の固体電解質の成膜方法は、基材63上に固体電解質材料を含有する有機金属イットリウムトリアセチルアセトナートとジルコニウムテトラキスアセチルアセトナートとを有機金属気相反応法(MOCVD)によって蒸着して固体電解質68を成膜する固体電解質の成膜方法において、有機金属の蒸着温度を1000°C以上に調整することを特徴とするものである。このMOCVDを電気化学蒸着法(EVD-CVD)と同様に1000°C以上の高温度で実行することによって基材に蒸着する固体電解質の膜組織を緻密にし、かつこの蒸着過程で塩化物排気を発生することもなく安全に固体電解質の成膜が行える。

Claim (excerpt)：

基材上に固体電解質材料を含有する有機金属を有機金属気相反応法によって蒸着して固体電解質を成膜する固体電解質の成膜方法において、前記有機金属の蒸着温度を1000°C以上に調整することを特徴とする固体電解質の成膜方法。

IPC (2)：

H01M 8/02 ,  C23C 16/18

FI (3)：

H01M 8/02 P ,  H01M 8/02 E ,  C23C 16/18