Pat

J-GLOBAL ID：200903093579815004

固体撮像素子

Inventor： 浅井 淳
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011487
Publication number (International publication number)：1997205191
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱処理の際のヒロックの発生を抑制するとともに製造工程数の増加を防止し、このことにより撮像特性の向上と製造安定性の維持とを図る。【解決手段】 Si基板(基体)11に形成されたライン状の垂直転送部12と、Si基板11上かつ垂直転送部12の側方に形成されたセンサ部15と、Si基板11上かつ垂直転送部12の直上位置に形成された転送電極2と、転送電極2を覆ってSi基板11上に形成されかつセンサ部15の直上位置を開口した遮光膜とを有し、また転送電極2が、第1転送電極2aと、少なくともセンサ部15の側方位置にて第1転送電極2aの一部にオーバーラップする状態で形成された第2転送電極2aとからなる固体撮像素子1において、特に第2転送電極2aの、少なくともセンサ部15の側方における第1転送電極2aとのオーバーラップ部分3の平面視した場合の端縁4を非一直線状に形成した。

Claim (excerpt)：

基体に形成されたライン状の垂直転送部と、前記基体の前記垂直転送部の側方に形成された光電変換をなすセンサ部と、前記基体上でかつ前記垂直転送部の直上位置に形成された転送電極と、前記転送電極を覆って前記基体上に形成されるとともに前記センサ部の直上位置を開口した遮光膜とを有して構成され、前記転送電極が、第1転送電極と、少なくとも前記センサ部の側方位置にて前記第1転送電極の一部にオーバーラップする状態で形成された第2転送電極とからなる固体撮像素子において、前記第2転送電極は、少なくとも前記センサ部の側方における前記第1転送電極とのオーバーラップ部分の平面視した場合の端縁が、非一直線状に形成されてなることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4)：

H01L 27/148 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 U ,  H01L 29/76 301 A