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J-GLOBAL ID:200903093582399704

面発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997161148
Publication number (International publication number):1999008406
Application date: Jun. 18, 1997
Publication date: Jan. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】高い外部量子効率と高い応答速度とが共に得られる面発光素子を提供する。【解決手段】複数のバリア層16〜28は、複数の活性層18〜26の間に位置して積層方向に向かってバンド構造が傾斜させられた第2バリア層20および第3バリア層24を含んで構成される。そのため、これら第2バリア層20および第3バリア層24では価電子帯上端のエネルギEv および伝導帯下端のエネルギEc が傾斜させられていることから、注入されたキャリアがそれらバリア層20、24のエネルギの傾斜に沿って速やかに移動させられるため、駆動電圧の印加が停止させられる発光停止時においてバリア層20、24に残存するキャリアの移動速度が高められる。したがって、多重量子井戸構造とされた発光ダイオードにおいて立ち下がり時間tf が短くなって、高い外部量子効率と高い応答速度とを共に備えた面発光素子が得られる。
Claim (excerpt):
複数の障壁層および複数の井戸層が交互に配置されて構成される量子井戸構造の発光層と、該発光層を挟んで設けられて該発光層で発生した光を反射させる光共振器を構成する一対の反射層とを含む複数の化合物半導体層が積層されて成り、該発光層で発生した光を該複数の化合物半導体層の表面から取り出す形式の面発光素子であって、前記複数の障壁層は、前記複数の井戸層の間に位置して積層方向に向かってバンド構造が傾斜させられた傾斜障壁層を含むことを特徴とする面発光素子。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2):
H01L 33/00 A ,  H01S 3/18

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