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J-GLOBAL ID：200903093590860305

パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュール

Inventor： 長瀬 敏之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008205659
Publication number (International publication number)：2009065144
Application date： Aug. 08, 2008
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】熱サイクル時の接合信頼性を向上することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法並びにパワーモジュールを提供することにある。【解決手段】セラミックス基板1の表面に回路層2が配置され、裏面に金属層3が配置されるパワーモジュール用基板4の製造方法であって、前記金属層3は、アルミニウム純度99.5wt%以上99.9wt%未満の第1層3aと、アルミニウム純度99.99wt%以上の第2層3bとを含む2以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、前記クラッド材の前記第1層3aを、前記セラミックス基板1側と反対側の面として、これらセラミックス基板1と金属層3とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

セラミックス基板の表面に回路層が配置され、裏面に金属層が配置されるパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記金属層は、アルミニウム純度99.5wt%以上99.9wt%未満の第1層と、アルミニウム純度99.99wt%以上の第2層とを含む2以上の層を積層してなるクラッド材により形成されており、 前記クラッド材の前記第1層を、前記セラミックス基板側と反対側の面として、 これらセラミックス基板と金属層とを、互いにろう付けにより接合することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/373

FI (2)：

H01L23/36 D ,  H01L23/36 M

F-Term (10)：

5F136BB04 ,  5F136BB11 ,  5F136BC05 ,  5F136DA13 ,  5F136EA14 ,  5F136FA02 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136FA75

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-253076   Applicant：電気化学工業株式会社