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J-GLOBAL ID：200903093601204820

半導体素子の実装方法

Inventor： 山下 俊光 ,  小澤 進 ,  遠山 広 ,  高橋 渉
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996251863
Publication number (International publication number)：1998098076
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 機能素子の機能を阻害することなく、しかも小型化を図ることができる半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】 異方性導電接着剤303を用いた半導体素子の実装方法において、発光素子を有する回路基板の発光部203近傍に異方性導電接着剤303の流出防止用突起部(流出防止台)401を形成し、異方性導電接着剤303による半導体素子100の実装時に、前記発光部203への異方性導電接着剤303の流出を防止する。

Claim (excerpt)：

異方性導電接着剤を用いた半導体素子の実装方法において、(a)機能素子を有する回路基板の機能部近傍に異方性導電接着剤の流出防止用突起部を形成し、(b)異方性導電接着剤による半導体素子の実装時に前記機能部への前記異方性導電接着剤の流出を防止することを特徴とする半導体素子の実装方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 33/00 N