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J-GLOBAL ID：200903093605074891

半導体レーザ、半導体レーザ装置及び光集積回路

Inventor： 畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034700
Publication number (International publication number)：1994232509
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 1回の成長プロセスにより、活性層と活性層よりバンドギャップが大きい光ガイド層とを形成する。【構成】 導波路方向の一部分にリッジ2を形成した基板1を用い、この基板1上に半導体層を成長させる。基板1のリッジ部3と非リッジ部4とにおいて、成長させた半導体層の組成及び/または膜厚が異なるので、バンドギャップが小さい部分を活性層とし、バンドギャップが大きい部分を光ガイド層とする。

Claim (excerpt)：

量子井戸層からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップが大きい量子井戸層からなる共振器端面の光ガイド層とを有する窓構造型の半導体レーザにおいて、前記活性層及び光ガイド層が、導波路方向の一部に導波路の幅と同じかそれより広い導波路方向のリッジを形成した基板上に設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15