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J-GLOBAL ID：200903093612657398

ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
北條 卓馬

About 北條 卓馬

, 
石川 清

About 石川 清

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中村 剛

About 中村 剛

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松宮 祐

About 松宮 祐


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003125241
Publication number (International publication number)：2004333548
Application date： Apr. 30, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【課題】高いエッチング耐性を有するとともに高解像性を得ることができ、電子線による露光工程を用いて微細パターンを形成できるポジ型ホトレジスト組成物、および該ポジ型ホトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)を含み、前記(A)成分がヒドロキシスチレンから誘導される第1の構成単位(a1)、およびアルコール性水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される第2の構成単位(a2)を含む共重合体からなり、前記構成単位(a1)の水酸基および前記構成単位(a2)のアルコール性水酸基のうちの一部が酸解離性溶解抑制基により保護されているEB用ポジ型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に用いられるポジ型ホトレジスト組成物であって、 酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)を含み、 前記(A)成分がヒドロキシスチレンから誘導される第1の構成単位(a1)、およびアルコール性水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される第2の構成単位(a2)を含む共重合体からなり、前記構成単位(a1)の水酸基および前記構成単位(a2)のアルコール性水酸基のうちの一部が酸解離性溶解抑制基により保護されていることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (7)：
G03F7/039 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (8)：
G03F7/039 601 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 541P
F-Term (33)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096LA16 ,  4J100AB02R ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F056DA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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