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J-GLOBAL ID：200903093613133953

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 丸山 裕之 ,  田丸 剛 ,  才川 健志 ,  根津 広樹 ,  大和田 伸郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051190
Publication number (International publication number)：1997246379
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 局所的にもグローバル的にも平坦化されている層間絶縁膜を有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置を用いて半導体基板1にバイアスを印加した状態で、種々のパターンを有する配線9が形成されている半導体基板1の上に絶縁膜10をプラズマCVDによる堆積と同時にスパッタエッチングを行って形成し、配線9の膜厚以上の膜厚をもって配線9間に絶縁膜10を埋め込む工程と、絶縁膜10の表面にSOG薬液を流動性の良い状態で塗布してSOG膜11を形成した後、SOG膜11の表面に絶縁膜12を形成する工程とを有するものである。

Claim (excerpt)：

配線の上に、第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜の上に形成されているSOG膜と前記SOG膜の上に形成されている第2の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を有し、前記第1の絶縁膜はプラズマCVDによる堆積と同時にスパッタエッチングを行って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 H ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 L ,  H01L 27/04 G