半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992114854
Publication number (International publication number)：1993315285
Application date： May. 07, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】微細なコンタクト孔においても、コンタクト抵抗を十分に低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上の層間絶縁膜8にコンタクト孔16を形成し、これにドーパントを含有した反応ガスを用いた化学気相成長法を行い、前記コンタクト孔16内及び層間絶縁膜8上に、当該ドーパントを含有した高融点金属層14を形成した後、熱処理を行ない、高融点金属シリサイド層9を形成し、前記半導体基板1の高融点金属シリサイド層9と接触する部分に、高濃度キャリア濃度領域を形成した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を開口し、当該コンタクト孔内に高融点金属シリサイド層を形成して、前記半導体基板と高融点金属シリサイド層とを接触させた半導体装置において、前記半導体基板と高融点金属シリサイド層との界面に、膜状の高濃度キャリア層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 B , H01L 29/78 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-181125
特開昭61-225838
特開昭59-177926

Show all

Return to Previous Page