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J-GLOBAL ID：200903093617712338

プラズマCVD装置および記録媒体

Inventor： 笹岡 泰 ,  本多 祐二 ,  荒木 智幸 ,  小林 巧
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社 ,  株式会社ユーテック
Agent (1)： 中川 國男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998163029
Publication number (International publication number)：1999335854
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 加工対象のワークに対する薄膜の形成に有効なプラズマCVD装置および良好な特性の記録媒体を提供する。【解決手段】 真空状態の成膜室(5)内でカソード(8)とアノード(9)との間の放電により、成膜原料ガス(16)をプラズマ状態とし、プラズマ状態のイオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)のマイナス電位により加工対象のワーク(13)の方向に加速し、イオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)の表面に付着させ、加工対象のワーク(13)の表面に薄膜を化学的に形成するプラズマCVD装置(1)において、成膜室(5)内に、カソード(8)、アノード(9)と加工対象のワーク(13)との間で加工対象のワーク(13)の加工面に対向させて膜厚補正板(14)を設け、この膜厚補正板(14)をフロート電位に設定する。

Claim (excerpt)：

真空状態の成膜室(5)内でカソード(8)とアノード(9)との間の放電により、成膜原料ガス(16)をプラズマ状態とし、プラズマ状態のイオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)のマイナス電位により加工対象のワーク(13)の方向に加速し、イオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)の表面に付着させ、加工対象のワーク(13)の表面に薄膜を化学的に形成するプラズマCVD装置(1)において、成膜室(5)内に、カソード(8)、アノード(9)と加工対象のワーク(13)との間で加工対象のワーク(13)の加工面に対向させて膜厚補正板(14)を設け、この膜厚補正板(14)をフロート電位に設定したことを特徴とするプラズマCVD装置(1)。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  G11B 5/85

FI (2)：

C23C 16/50 ,  G11B 5/85 A