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J-GLOBAL ID：200903093631136927

薄膜の形成方法および形成装置

Inventor：
菅井 和己

About 菅井 和己


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996276266
Publication number (International publication number)：1998125780
Application date： Oct. 18, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 接続孔を薄膜で埋め込むことによって微細な接続孔を有する集積回路を実現し、半導体チップの面積を縮小し、チップ単価を低減する。【解決手段】 液体原料導入バルブ11から液体原料供給管4を通して液体原料を基板に塗布すると、接続孔の上部に液体原料24が入り込む。このとき、基板の温度が薄膜形成室の壁の温度より低いので、液体原料は基板上にのみ凝縮する。つづいて、加圧ガス導入バルブ12を開けて、水素ガスを導入し加圧すると、液体原料は接続孔23の底まで到達する。フラッシュランプ9およびその光を集光する反射板10で基板に光を照射し加熱すると、液体原料が分解し気体の反応生成物26が気相中に脱離し、薄膜27が基板上に形成され、接続孔が金属で埋め込まれる。
Claim (excerpt)：
基板設置部の温度が前記基板設置部以外の温度に比べて低くなるように設定された薄膜形成室内に基板を設置する工程と、前記薄膜形成室を真空に排気する工程と、液体原料を導入する工程と、前記基板表面を加圧する工程と、前記基板を加熱する工程とを含む薄膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  C23C 26/00
FI (4)：
H01L 21/90 B ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  C23C 26/00 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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