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J-GLOBAL ID：200903093641284436

気化装置

Inventor：
小野 弘文

About 小野 弘文


Applicant, Patent owner：
株式会社リンテック

About 株式会社リンテック


Agent (1)： 森 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999187734
Publication number (International publication number)：2001011634
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】不揮発性メモリーの、SrBi2Ta2O9(SBT)、Pb(Zr、Ti)O3(PZT)などを用いた強誘電体メモリー(FeRAM)の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでCVDのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。【解決手段】成膜原料を担持した液体原料106を気化部1Bに供給する液体原料供給部1Aと、供給された液体原料106を加熱し、気化させると共にキャリヤガス108に随伴させて反応室102に供給する気化装置100において、気化部1B内に設けられた気化空間Vの内面が液体原料106の入口7から気化原料114の出口18に向かって液体原料106が流下するように形成されており、前記気化空間Vを構成する内面の内、少なくとも下側の内面15が液体原料106を滞留させる滞留面構造となっている事を特徴とする。
Claim (excerpt)：
成膜原料を担持した液体原料を気化部に供給する液体原料供給部と、供給された液体原料を加熱し、気化させると共にキャリヤガスに随伴させて反応室に供給する気化部とで構成された気化装置において、気化部内に設けられた気化空間の内面が液体原料の入口から気化原料の出口に向かって液体原料が流下するように形成されており、前記気化空間を構成する内面の内、少なくとも下側の内面が液体原料を滞留させる滞留面構造となっている事を特徴とする気化装置。
IPC (2)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/31
FI (2)：
C23C 16/44 C ,  H01L 21/31 B
F-Term (9)：
4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AB40 ,  5F045EB05 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 特開平2-048001
  • 液体原料気化装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148542   Applicant：株式会社荏原製作所

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