半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (12)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004236557
Publication number (International publication number)：2006054391
Application date： Aug. 16, 2004
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：

【課題】 High-k膜を用いてヒステリシスの増加の小さい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に第1の絶縁膜および第2の絶縁膜を形成した後、0.2体積%以上の濃度の酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う。第2の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。第2の絶縁膜は、膜厚3.0nm以下、好ましくは2.4nm以下のHfAlOx膜とすることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、 0.2体積%以上の濃度の酸素を含む雰囲気中で、前記第2の絶縁膜に対して熱処理を行う工程とを備え、前記第2の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/283 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L21/316 M , H01L21/316 P , H01L21/283 B , H01L29/78 301G

F-Term (51)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF11 , 5F058BF37 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特開昭61-035548

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価

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