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J-GLOBAL ID：200903093658085445
酸化膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282141
Publication number (International publication number)：1995118844
Application date： Oct. 18, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：
【要約】【構成】 高周波スパッタリングによる酸化膜の成膜時に、基板側の高周波電源が、ターゲット側の高周波電源に対して常に約40 ゚〜120 ゚の範囲内で位相遅れを有するように最適制御する。【効果】 成膜速度が略一定に維持され、異常放電が防止され、膜厚分布を略一定の低い値に抑制することができ、使用するスパッタリング装置やバッチを変更した場合でも、常に安定的に良好な酸化膜を形成できる。
Claim (excerpt)：
酸化物のスパッタリングにより酸化膜を形成する方法であって、基板側の高周波電源を、その位相がターゲット側の高周波電源の位相に対して常に約40 ゚〜120 ゚の遅れを有するように制御することを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (2)：
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