Pat
J-GLOBAL ID:200903093663303507
レーザ貫入深度制御装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
清水 初志
, 橋本 一憲
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002544611
Publication number (International publication number):2004514479
Application date: Nov. 21, 2001
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
本発明は、例えば、レーザエネルギーを患者の標的組織へ発射する時に、レーザエネルギーの光貫入深度を制御するためのシステムおよび手段を特徴としている。このシステムおよび手段は、患者の標的領域へ発射されるレーザエネルギーの入射角を制御することによって光貫入深度(OPD)を制御する。本発明の態様は、ユーザが入射角を変化させ、従って入射レーザエネルギーのOPDを選択可能に制御できる光カプラを含む。標的組織の屈折率よりも大きな屈折率を有するように光カプラを製造することによって、選択可能なOPDの範囲が向上する。所望の深度に発射されるレーザエネルギーは、例えば、加熱、切除および/または光化学反応によって、標的組織の変化を引き起こす。
Claim (excerpt):
基体に対して制御された貫入深度にレーザ光線を発射する装置であって、基体が第1の屈折率と吸収係数μaとを有し、ならびに装置が、
光エネルギー源から光エネルギーを受取る光カプラ、該光カプラは、第1の屈折率よりも高い第2の屈折率を有し、基体と接触して基体とのインターフェースを形成するのに適し、
インターフェースでの基体への光エネルギーの屈折角θrが光カプラと光カプラへ入る光エネルギーとの相対位置を調節することによって変化されうる輪郭表面を有し、特定の屈折角を選択することにより、式
IPC (4):
A61B18/20
, A61N5/06
, G02B6/42
, H01S3/00
FI (4):
A61B17/36 350
, A61N5/06 E
, G02B6/42
, H01S3/00 B
F-Term (53):
2H037AA02
, 2H037BA03
, 2H037BA32
, 2H037CA13
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA05
, 2H037DA06
, 2H037DA11
, 4C026AA02
, 4C026AA03
, 4C026BB02
, 4C026BB07
, 4C026BB08
, 4C026FF03
, 4C026FF13
, 4C026FF14
, 4C026FF16
, 4C026FF17
, 4C026FF18
, 4C026FF22
, 4C026FF33
, 4C026FF38
, 4C026FF39
, 4C026FF43
, 4C026FF53
, 4C082RA01
, 4C082RA02
, 4C082RA05
, 4C082RA07
, 4C082RA08
, 4C082RC04
, 4C082RC07
, 4C082RC08
, 4C082RC09
, 4C082RE03
, 4C082RE13
, 4C082RE14
, 4C082RE16
, 4C082RE17
, 4C082RE18
, 4C082RE22
, 4C082RE32
, 4C082RE33
, 4C082RE35
, 4C082RE36
, 4C082RE39
, 4C082RE43
, 4C082RE53
, 4E068CB08
, 4E068CE08
, 5F072YY01
, 5F072YY06
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