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J-GLOBAL ID：200903093663904071
層間絶縁膜とそれを用いた半導体装置と固体撮像装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030417
Publication number (International publication number)：1993299522
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 層間絶縁膜の薄膜化を容易なものとする。【構成】 N型半導体基板21上には、転送ゲート電極22が形成されている。転送ゲート電極22は第1の転送ゲート電極と第2の転送ゲート電極が1対となっている。この1対の転送ゲート電極22は、層間絶縁膜25を挟んで紙面の上下方向に直線状に配置されている。転送ゲート電極22と隣接してフォトダイオード23が形成されている。すなわち紙面の左右方向には転送ゲート電極22とフォトダイオード23とが1対となり、この対が横方向に直線状に配列している。このように転送ゲート電極22とフォトダイオード23はN型半導体基板21上にマトリックス状に配置されている。撮像領域の1ピッチはフォトダイオード23と隣接する転送ゲート電極22が単位となっている。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板または前記半導体基板上に形成された第一の導電層と、前記第一の導電層上に層間絶縁膜を少なくとも介して形成された第二の導電層とを備え、前記層間絶縁膜が少なくとも第一の層間絶縁膜と第二の層間絶縁膜との多層膜で構成され、前記層間絶縁膜のエッチングにおいて、前記第二の層間絶縁膜は、前記第一の層間絶縁膜に対するエッチングレート比より小さく、前記第二の層間絶縁膜が前記第一の層間絶縁膜の下に形成されていることを特徴とする層間絶縁膜。
IPC (3)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 27/148
