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J-GLOBAL ID：200903093688757855

光・電子デバイス

Inventor： 田中 雅明 ,  ゲルハルト ファーゾル
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992051925
Publication number (International publication number)：1993259403
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体層4を介して磁性体層2、3を積層配設してなる構造を有する光・電子デバイス。【効果】 全く新しい光・電子デバイスとして不揮発性メモリ、光(マイクロ波)スイッチまたは変調器等の各種領域への応用が拡がる。高性能、高密度デバイスとして有用である。

Claim (excerpt)：

半導体層を介して磁性体層を積層配設してなる構造を有することを特徴とする光・電子デバイス。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/15 ,  H01L 49/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-177459
  
• 特開平3-200084
  
• 特開昭63-306599