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J-GLOBAL ID：200903093689479255

ポジ型レジスト組成物

Inventor：
阿出川 豊

About 阿出川 豊


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003057343
Publication number (International publication number)：2004264767
Application date： Mar. 04, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、SEMシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(A)で表される特定構造の、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物 を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、 (A)成分の樹脂が、下記一般式(A)で表される基を有するビニルエーテル系繰り返し単位、下記一般式(A)で表される基を有するビニルエステル系繰り返し単位及び下記一般式(A)で表される基を有するβ-アルキルアクリル酸系繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種類の繰り返し単位を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3)：
G03F7/039 ,  C08F30/08 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  C08F30/08 ,  H01L21/30 502R
F-Term (29)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09P ,  4J100AE09Q ,  4J100AE21P ,  4J100AG18P ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL34Q ,  4J100BA81P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC53Q ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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