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J-GLOBAL ID：200903093691610636

ポジ型ホトレジスト組成物

Inventor： 安藤 慶人 ,  沢野 敦 ,  徳竹 信生 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994085106
Publication number (International publication number)：1995295214
Application date： Apr. 22, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【構成】 アルカリ可溶性樹脂とナフトキノン-1,2-ジアジドスルホン酸エステル化合物とを必須成分として含有するポジ型ホトレジスト組成物に対し、ハレーション防止剤として、(A)4,4′-ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンと(B)多価ヒドロキシベンゾフェノン類、ジアルキルアミノ基及びヒドロキシル基置換ベンゾフェノン類及びフェニルアゾ基置換ピラゾール類の中から選ばれた少なくとも1種との組合せを0.1〜5.0重量%配合したポジ型ホトレジスト組成物である。【効果】 本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、高解像性で、断面形状及び耐熱性に優れたレジストパターンを形成でき、かつ高感度で、しかも焦点深度幅特性及びハレーション防止効果に優れるとともに、十分な露光余裕度を有し、特に凹凸を有する基板や反射率の高い基板に用いて好適であり、中でもICやLSIなどの半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジストとして好適に用いられる。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性樹脂とナフトキノン-1,2-ジアジドスルホン酸のエステル化合物とを必須成分として含有するポジ型ホトレジストに対し、ハレーション防止剤として、(A)4,4′-ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノンと(B)一般式【化1】(式中のR1及びR2は水酸基又は低級アルコキシル基であり、nは1又は2の整数、mは0又は1〜3の整数である)で表わされる化合物、一般式【化2】(式中のR3及びR4は水素原子又は低級アルキル基であり、pは1〜3の整数である)で表わされる化合物及び一般式【化3】[式中のR5及びR6は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、シアノ基、低級アルキル基又は低級アルコキシル基、R7はアリール基、低級アルキル基又はジアルキルアミノフェニル基、R8は水素原子又は低級アルキル基、R9は水酸基、アミノ基又はOZ(Zはナフトキノン-1,2-ジアジドスルホニル基である)である]で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも1種の化合物との重量比10:1ないし1:10の混合物を0.1〜5.0重量%の割合で配合したことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-154049
  
• 特開平4-214563
  
• 特開昭61-241759