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J-GLOBAL ID：200903093739908985

集積回路の配線およびその製造方法

Inventor： 豊田 吉彦 ,  森 剛 ,  深田 哲生 ,  長谷川 万希子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996166106
Publication number (International publication number)：1998012617
Application date： Jun. 26, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 集積回路の同一層に形成される複数の配線について、アスペクト比が一定範囲内になるように形成して、配線の歩留まりと信頼性を向上させる。【解決手段】 エッチングガスとして炭素とフッ素を含むガスを使い、これに炭素を含むガスを添加して、プラズマエッチングにより酸化膜をエッチングする。エッチングレートは溝の幅にほぼ比例するので溝の深さは幅にほぼ比例する。この溝に導電性材料を充填して配線とする。銅を含む導電性材料で配線を形成したときは拡散防止膜で被覆する。

Claim (excerpt)：

レジストマスクが表面に形成された絶縁膜を炭素とフッ素とを含むエッチングガスに炭素を含む添加ガスを加えたガスでプラズマエッチングして溝を形成する第1の工程と、上記溝に導電材料を充填する第2の工程とを備えた集積回路の配線の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242835   Applicant：株式会社東芝
• コンタクトホールの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-216748   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-274269   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-095857   Applicant：日本電気株式会社