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J-GLOBAL ID：200903093747285563

酸化物単結晶薄膜の合成方法

Inventor： 大久保 総一郎 ,  今井 貴浩 ,  岡本 暁
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996134500
Publication number (International publication number)：1997315896
Application date： May. 29, 1996
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ゾル-ゲル法を用いた光反応によって、単結晶基板表面に酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1の表面1aを原料前駆体溶液3に接触させ、励起光を該基板1の裏面1b側から照射して表面1aから原料前駆体溶液3に入射させることにより、原料前駆体を分解して単結晶基板1の表面1aに酸化物単結晶をエピタキシャル成長させる。励起光の単結晶基板1の表面1aでの入射角θが全反射臨界角となるように、裏面1b側への励起光の照射角度を調整することが好ましい。

Claim (excerpt)：

単結晶基板の表面を原料前駆体溶液に接触させ、励起光を該単結晶基板の裏面側から照射して表面から原料前駆体溶液に入射させることにより、原料前駆体を分解して単結晶基板の表面から酸化物単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする酸化物単結晶薄膜の合成方法。

IPC (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 5/00 ,  C30B 19/00

FI (3)：

C30B 29/16 ,  C30B 5/00 ,  C30B 19/00 Z