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J-GLOBAL ID：200903093749413542

電界効果型トランジスタ

Inventor： 西村 剛太
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017090
Publication number (International publication number)：1999214408
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 大電流化に対応した電界効果型トランジスタを得ようとすると、高周波特性が劣化したり、素子が大型化するという問題があった。【解決手段】 ゲート電極配線を格子状に形成し、このゲート電極配線の格子の中にソース・ドレイン電極を島状に分離して形成し、この島状のソース・ドレイン電極のそれぞれを前記ゲート電極配線を越えて相互に接続した。

Claim (excerpt)：

ゲート電極配線を格子状に形成し、このゲート電極の配線格子の中にソース・ドレイン電極を島状に分離して形成し、この島状のソース・ドレイン電極のそれぞれを前記ゲート電極配線を越えて相互に接続した電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 29/80 L ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-211771
  
• 特開昭60-053085
  
• 特開平3-027534
  
• 特開昭54-089582