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J-GLOBAL ID：200903093756360284

導電性シリコーンゴム組成物の製造方法

Inventor： 井上 凱夫 ,  関口 晋 ,  高橋 政晴
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992343436
Publication number (International publication number)：1994166819
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 平均組成式(1)及び(2)で示されるオルガノポリシロキサンと導電性カーボンブラックとを含むシリコーンゴム組成物(A)に(3)で示されるオルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム組成物(B)を混合する。平均組成式R1aR2bSiO{4-(a+b)}/2(1)R3cR4dSiO{4-(a+b)}/2(2)R5eSiO(4-e)/2(3)(ここで、R1,R2,R3,R5は非置換又は置換の1価炭化水素基を示し、R2は第1級アミンを含有する1価の有機基で、R4はα,β-不飽和カルボニル誘導体又はエポキシ基を含有する1価の有機基を示し、R1のうちメチル基は95モル%以下であり、R5のうちメチル基は98モル%以上である。)【効果】 成形加工、加硫特性が良好で、半導電領域での電気抵抗率が成形条件によって左右されない。

Claim (excerpt)：

下記平均組成式(1)で示されるオルガノポリシロキサンと下記平均組成式(2)で示されるオルガノポリシロキサンと導電性カーボンブラックとを含むシリコーンゴム組成物(A)に対し、下記平均組成式(3)で示されるオルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム組成物(B)を混合することを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物の製造方法。平均組成式(1)R1aR2bSiO{4-(a+b)}/2(ここで、R1,R2は非置換又は置換の1価炭化水素基を示すが、R1のうちメチル基は95モル%以下であり、R2は第1級アミンを含有する1価の有機基である。a,bはそれぞれa+b=1.98〜2.02を満足する正数である。)平均組成式(2)R3cR4dSiO{4-(a+b)}/2(ここで、R3は非置換又は置換の1価炭化水素基、R4はα,β-不飽和カルボニル誘導体又はエポキシ基を含有する1価の有機基を示し、c,dはそれぞれc+d=1.98〜2.02を満足する正数である。)平均組成式(3)R5eSiO(4-e)/2(ここで、R5は非置換又は置換の1価炭化水素基を示すが、R5のうちメチル基は98モル%以上であり、eは1.98〜2.02の正数である。)

IPC (5)：

C08L 83/04 LRZ ,  C08K 3/04 LRX ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/08 ,  H01B 1/24