Pat
J-GLOBAL ID:200903093758099664

半導体波長可変レーザ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997100332
Publication number (International publication number):1998294523
Application date: Apr. 17, 1997
Publication date: Nov. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 連続可変波長幅が大きく、構造が簡便かつ製造が容易で、モノリシックで小型かつ取り扱いの簡易な可変波長半導体レーザを提供すること。【解決手段】 利得スペクトルが所用の可変波長領域をカバーするようにサイズのばらつきが制御された、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元的あるいは3次元的キャリア閉じ込め構造により構成され電流を注入することにより光を発生し増幅する光利得領域と、電流注入量により光吸収係数が変化する光吸収制御領域と、前記光利得領域および光吸収制御領域を内包する光共振器と、前記光利得領域および光吸収制御領域に注入する電流量または電圧値を独立に制御する制御手段とを有する。
Claim (excerpt):
利得スペクトルが所用の可変波長領域をカバーするようにサイズのばらつきが制御された、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元的あるいは3次元的キャリア閉じ込め構造により構成され電流を注入することにより光を発生し増幅する光利得領域と、注入電流量により光吸収係数が変化する光吸収制御領域と、前記光利得領域および光吸収制御領域を内包する光共振器と、前記光利得領域および光吸収制御領域に注入する電流量または電圧値を独立に制御する制御手段とを有する半導体波長可変レーザ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page